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型号 SPD08P06P G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
SPD08P06P G PDF
代理商 SPD08P06P G
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.83A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 6.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 420pF @ 25V
功率 - 最大 42W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 SPD08P06PGINDKR
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SPD125-103M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 10.0UH SMD
SPD125-104M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 100.0UH SMD
SPD125-105M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 1000.0UH SMD
SPD125-123M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 12.0UH SMD
SPD125-124M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 120.0UH SMD
SPD125-153M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 15.0UH SMD
SPD125-154M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 150.0UH SMD
SPD125-183M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 18.0UH SMD
SPD125-184M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 180.0UH SMD
SPD125-222M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 2.20UH SMD
SPD125-223M API Delevan Inc INDUCTOR SHIELDED 22.0UH SMD